Le memorie da 19nm di Toshiba

Toshiba ha deciso di suggerire le sue nuove memorie su processo costruttivo da 19nm in tecnologia nand flash.In effetti, la casa costruttrice asiatica ha deciso di iniziare la produzione delle sue nuove soluzioni da 2-bit per cella per dispositivi da 64-gigabit. Queste nuove proposte di casa Toshiba prevedono soluzioni da 3 bit per cella con processo costruttivo da 19nm.

Alcuni campioni saranno disponibili alla fine del mese mentre la produzione di massa inizierà nel terzo trimestre del 2011.

Secondo le indicazioni del produttore queste nuove soluzioni saranno in grado di offrire package da 128 GB per applicazioni mobile tra cui smartphone e tablet.

Non solo, i dispositivi di classe 19nm saranno anche equipaggiati con Toggle DDR2.0 in grado di offrire maggiori parametri in data transfer.