Corsair e Mach Xtreme intendono suggerire due nuovi kit di memoria con interessanti prestazioni base su tecnologia DDR3.
In effetti, mentre stiamo aspettando le nuove soluzioni basate su DDR4, Corsair e Xtreme confermano la loro posizione sul mercato con piattaforme di memorie di indubbio interesse anche se, poi, il costo non è proprio alla portata di tutti.
La casa asiatica ha deciso di offrire nuove memorie su processo costruttivo da 24nm e-MMC su tecnologia DDR NAND. La nuova famiglia di memorie su tecnologia flash offre una maggiore prestazione rispetto alle soluzioni DDR attuali con una densità che vanno da 2GB a 128GB, questi nuovi moduli di memoria su geometria NAND Flash più piccola del mondo e-MMC e una delle più alte capacità raggiunta nel settore con il pieno rispetto della versione 4.41 dello standard JEDEC.
Crucial ha deciso di offrire nuove memorie ram su 16 GB in versione DDR3 da 1066 MHz, Very Low Profile RDIMM Memory Module.
In effetti, con questa proposta di Crucial intende offrire una valida alternativa alle differenti esigenze dei consumatori che hanno bisogno di un taglio di memoria sostanziale per supportare senza problemi le loro applicazioni anche in ambito server. Crucial, sarà inutile dirlo ma è opportuno ricordarlo, è una delle più importanti società del segmento delle memorie con importanti realizzazioni.
In arrivo il nuovo Netlist mSATA su tecnologia a stato solito, SSD.
Toshiba ha deciso di suggerire le sue nuove memorie su processo costruttivo da 19nm in tecnologia nand flash.
Elpida sviluppa le sue nuove memorie low voltage da 4 Gb su DDR2 in versione mobile.
Finalmente Samsung ha deciso di inziare la produzione di massa delle memorie da 4 GB su 30nm.
Samsung non ha di certo bisogno di presentazioni poichè occupa un posto di rilievo nel panorama tecnologico mondiale.
OCZ ha deciso di cambiare la sua mission cambiando l’oggetto del suo businees.
Hynix intende suggerire le soluzioni RAM da 4 Gigabit su tecnologia DDR3 basati su processo costruttivo da 30nm.
Samsung ha deciso di procedere all’avvio dello sviluppo delle memorie da 8 GB su tecnologia RDIMM basati su advanced Green DDR3 DRAM.
Samsung ha annunciato di aver sviluppato e avviato il campionamento del primo monolitico quattro gigabit (Gb) in low power e double-data rate 2 (LPDDR2) DRAM con processo costruttivo da 30 nm così come comunicato nel mese di novembre.
Super Talent propone il lancio delle sue nuove memore da 8 GB su tecnologia DDR3 DRAM in grado di garantire il funzionamento con le architetture Westmere di Intel poiché garantiscono basse tensioni di alimentazione.
