In arrivo da Samsung un vagone carico di memorie su processo costruttivo da 20nm su 64 Gb con tecnologia 3-bit NAND flash memory.
In questi giorni Samsung ha deciso di iniziare la produzione delle prime memorie da 3 bit-cell (3 bit) su 64 Gb di memoria nand flash utilizzando la tecnologia ds 20 nanometri.
Le nuove memorie della casa asiatica possono essere utilizzate su soluzioni ad alta densità quali piattaforme USB flash drive (UFDs) e Secure Digital (SD) memory card.
Secondo le osservazioni della stessa Samsung, le memorie su piattaforma da 20nm dispongono di almeno del 60% di ottimizzazione in più rispetto alle piattaforme da 30nm, 32 Gb 3-bit NAND.
Non solo, i nuovi dispositivi saranno in grado di assicurare ottime prestazioni utilizzando la tecnologia Toggle DDR 1.0 (Double Data Rate) rispetto alle precedenti piattaforme SDR (Single Data Rate) su 30nm.
Samsung ripone molte aspettative su queste piattaforme; in effetti, le parole di Seijin Kim della Flash Memory Planning/Enabling di Samsung
Samsung has repeatedly provided the market with leading-edge NAND flash solutions, including the introduction of 30nm-class, 32Gb 3-bit NAND flash last Novembre [..] By now entering into full production of 20nm-class 64Gb 3-bit devices, we expect to accelerate adoption of our high-performance NAND solutions that use Toggle DDR technology, for applications that also require high-density NAND.