Samsung ha annunciato la disponibilità delle prime memorie in classe NAND Flash su 20nm. Le intenzioni di Samsung appaiono chiare: diventare punto di riferimento delle memorie NAND flash iniziando, di fatto, la produzione.
La tecnologia messa a punto da Samsung intende coprire le esigenze in Secure Digital (SD) application, oltre al segmento embedded.
Samsung, con le realizzazioni su 20nm in MLC NAND Flash memory, assicura un aumento di almeno del 50% dei livelli di produttività delle memorie in classe 30nm con la stessa tecnologia.
Le prestazioni, almeno stando alle indicazioni del costruttore, sono sicuramente più interessanti rispetto a quelleda 30nm.
In effetti, Samsung ha stabilito che l’operazione di scrittura di una 20nm, con un taglio da 8 GB, è del 30% più veloce rispetto ai 30nm.
Le memorie di Samsung su 20nm dovrebbero essere disponibili con un taglio da 4 GB a 64 GB.