
Hynix ha deciso di iniziare la produzione di massa dei suoi chip da 64 Gb in tecnologia Nand Flash utilizzando la tecnologia costruttiva da 20nm.

Hynix ha deciso di iniziare la produzione di massa dei suoi chip da 64 Gb in tecnologia Nand Flash utilizzando la tecnologia costruttiva da 20nm.

ARM e TSMC hanno stretto un accordo commerciale e tecnologico con l’obiettivo di realizzare un Cortex su processo costruttivo da 20nm.

Samsung ha annunciato la disponibilità delle prime memorie in classe NAND Flash su 20nm. Le intenzioni di Samsung appaiono chiare: diventare punto di riferimento delle memorie NAND flash iniziando, di fatto, la produzione.

Incrementare le prestazioni su processori o sulle memorie è ormaiun imperativo categorico e, senza dubbio, TSMC lo sa perfettamente tanto da pianificare l’avvio di un nuovo processo costruttivo.

Toshiba e SanDisk sono due realtà rilevanti nel settore delle memorie flash, ognuno dispone di prodotti che soddisfano le esigenze di una notevole schiera di utenti.
Le due società hanno recentemente stretto un accordo tecnologico ed economico. Lo scopo dell’accordo è la definizione di una nuova linea di memorie flash con tecnologia 20nm.