Toshiba e SanDisk sono due realtà rilevanti nel settore delle memorie flash, ognuno dispone di prodotti che soddisfano le esigenze di una notevole schiera di utenti.
Le due società hanno recentemente stretto un accordo tecnologico ed economico. Lo scopo dell’accordo è la definizione di una nuova linea di memorie flash con tecnologia 20nm.
Secondo quanto definito, Toshiba e SanDisk, proporranno le memorie a tecnologia NAND per la metà dell’anno prossimo.
Secondo queste premesse, Toshiba rimpiazzerà le sue memorie flash correnti perché si basano su 32nm.
I piani di questa joint-venture potrebbero essere vanificati da Intel.
Infatti, la casa americana ha pianificato, per la fine dell’anno, il lancio delle memorie NAND con tecnologia sub-30nm.
Intel lavora con Micron Technology come gruppo rivale della joint-venture Toshiba e SanDisk.
Il gruppo rivale, Intel e Micron, che ha pianificato per la fine dell’anno l’introduzione delle memorie 2xnm, utilizza nei loro prodotti memorie flash a 3bpc con processo 34nm.
Toshiba ha recentemente inziato la produzione di dispositivi a 32nm con 3bpc.
La tecnologia 3-bit per cella sicuramente rappresenta un enorme innovazione e consente senza dubbio un aumento delle prestazioni. Infatti, attualmente si utilizza, nelle memorie SSD correnti, una tecnologia con 2-bit per cella.
Non so chi arriverà primo in questa corsa, ma sicuramente, nel 2010, potremo assistere ad una diminuzione dei prezzi dei dispositivi SSD e un aumento della loro capacità.