Samsung ha finalmente deciso di avviare la produzione di massa delle sue memorie da 2 Gb in tecnologia DDR3 su processo costruttivo da 30nm: una esigenza sempre più pressante perchè il fine è quello di ottenere chip sempre a più alta densità al fine di offire un prodotto più efficiente.
I reporti di Samsung affermano che le nuove memorie su 30 nm con tecnologia DDR3 sono in grado di offrire prestazioni di gran lunga superiori rispetto alle tecnologie odierne.
I nuovi moduli di memoria possono essere utilizzati sia nel segmento server sia in quello più tradizionale come desktop o notebook, come risulta ovvio.
I moduli, in tecnologia DDR3, possono garantire una frequenza di funzionamento di 1866 MHz con una tensione di alimentazione di 1.35 V. Mentre, al contrario, con una tensione di 1.5 V è possibile ottenere una frequenza di lavoro fino a 2.133 MHz. Questi valori corrispondono a 3.5 volte rispetto alle memorie con tecnologia DDR2 e 1.6 volte rispetto ai moduli da 50 nm su DDR3.
L’esigenza di utilizzare densità più spinte con processi costruttivi sempre più ridotti rappresentano traduzione, in termini pratici, la risposta alle domande per i moduli su DDR3 ad opera del mercato.
Secondo Soo-In-Cho, presidente della divisione memorie per Samsung, questo è solo il primo passo perchè ci si aspetta di arrivare verso moduli da 4 GB entro la fine dell’anno.
Con questa decisione della casa asiatica si conclude la fase di test e inizia il salto vero verso le applicazioni industriali e consumer.
Samsung ha previsto di iniziare la produzione dei nuovi chip su 30 nanometri in densità da 4 Gb per la fine dell’anno. Secondo i piani di Samsung si prevede di ottenere chip da 4GB, 8GB, 16GB e 32GB su 30nm RDIMMs per servers e 2GB, 4GB e 8GB UDIMMs per workstations e desktop PCs, oltre a 2GB, 4GB e 8GB SoDIMMs per soluzioni su notebook e configurazioni all-in-one.
Le soluzioni da 30 nm DDR3 utilizzati su server avranno un valore del 20% superiori rispetto alle medesime applicazioni con chip da 50 nm, sempre sulla stessa tecnologia DDR3.