Samsung ha comunicato l’inizio della produzione di massa delle sue nuove memorie a tecnologia Nand Flash a 30nm con interfacce DDR.
Il taglio delle memorie, sempre secondo Samsung, dovrebbe essere di 32 Gb, vale a dire bit non byte, su multi-level-cell (MLC) con interfacce asincrone.
Queste memorie di casa Samsung permettono di raddoppiare il data rate senza aumentare il consumo.
Secondo le dichiarazioni di Samsung le sue nuove memorie DDR di tipi Nand Flash garantiscono un elevato rapporto prestazionale, in particolar modo per le operazioni in lettura; infatti, i dati forniti da Samsung mostrano che con una velocità in lettura di 133 mega bit al secondo,pari a 16.6 MB/s, le memorie possono tranquillamente rimpiazzare le SDR (single data rate) delle MLC Flash che assicurano una prestazione di 40 mega bit al secondo, pari a 5 MB/s.
Le possibili applicazioni delle nuove memorie Samsung sono decisamente varie, dalle applicazioni SSD per i PC alle schedine di memoria per gli smartphone.
Non solo, grazie alla sua alta densità e alle sue prestazioni decisamente interessanti il prodotto può essere utilizzato nei media player.