Intel e Numonyx stanno lavorando insieme per realizzare una nuova versione di memorie flash a tecnologia NAND in grado di garantire prestazioni decisamente superiori rispetto alla tecnologia attuale.
Stando alle informazioni diffuse le nuove memorie si baserebbero sulla tecnologia phase-change-memory (PCM).
In pratica si tratterebbe di una integrazione verticale in grado di assicurare decisamente un elevata densità; infatti, un chip di 64 Mb potrebbe benissimo essere presente in un singolo die.
In prospettiva questa tecnologia dovrebbe rappresentare una valida alternativa alle memorie flash perché richiederebbe anche una bassa tensione di alimentazione. In memorie di tipo NAND flash è richieste una carica elettrica per immagazzinare l’informazione, mentre la tecnologia PCM utilizza un materiale chiamato chalcogenide glass, famoso per la sua abilità di passare tra due stati.
Per maggiori informazioni sulla tecnologia Phase-Change-Mode può essere opportuno visitare il sito di Wikipedia.
Stando alle dichiarazioni di Intel e Numonyx dovremo aspettare l’International Electron Devices Meeting (IEDM 2009) pianificato per il 9 dicembre per ottenere maggiori informazioni tecniche.