Intel e Micron propongono due nuovi chip per USB

 L’alleanza tra Intel e Micron produce buoni frutti.

Oggi i due costruttori hanno annunciato la chiusura dello sviluppo di un nuovo chip da utilizzare in applicazioni di vario genere, come ad esempio in flash card e driver USB.

Stando alle dichiarazioni rilasciate, lo sviluppo di questa nuova tecnologia è considerata conclusa con successo.

Il dispositivo è basato sulla tecnologia 3bpc (3-bits-per-cell) con tecnologia Nand. Questa nuova tecnologia sarà in grado di fornire una capacità di 32Gb (4GB) multi-level cell (MLC) utilizzando il processo tecnologico 34nm.

Intel e Micron hanno altresì annunciato che inizieranno a produrre memorie flash utilizzando il processo di fabbricazione a 30nm.

La notizia di questo successo è stata diffusa anche da un comunicato ufficiale di Intel.

Le dichiarazioni poi di Brian Shirley, vice president della divisione memorie di Micron, sono incoraggianti. Infatti, Shirley afferma che la tecnologia NAND 3bpc è solo una tappa della roadmap di Micron.

L’obiettivo di casa Micron è di potenziare la linea delle memorie flash, prodotti che hanno sempre più un ruolo rilevante nel mercato mondiale delle memorie, allargando il panorama di nuovi ordini e di sempre più innovative proposte tecnologiche.

La proposta di Intel e Micron è veramente interessante. In rete è possibile trovare un video di Kevin Kilbuck, direttore strategico del marketing di Micron. Il video, reperibile su YouTube, vuole descrivere le differenze tra le differenti proposte di memorie flash: SLC, MLC e 3-bit MLC NAND, oltre a soffermarsi sulla roadmap dei prodotti di casa Micron. Maggiori notizie di questo goal sono reperibili sul blog di Micron.

Potremo già trovare per la fine dell’anno dispositivi con questa nuova soluzione tecnologica.

Questa notizia rappresenta la risposta di casa Intel all’iniziativa di SanDisk e Toshiba che hanno proposto, notizia diffusa a Febbraio, un dispositivo flash 64GB/8GB con tecnologia MLC NAND flash con 4-bits-per-cell. Queste due società hanno comunicato che utilizzeranno la tecnologia costruttiva a 43nm.