Hynix Semiconductor ha deciso di proporre la prima memoria GDDR5 su 2Gb con processo costruttivo dei 40nm.
La memoria risulta particolarmente indicata per le soluzioni su PC e game consolle.
Stando alle dichiarazioni di Hynix, la memoria dovrebbe garantire un tempo di accesso di 7 Gbps ed in grado di ottenere un bandwith di 28 Gb/s su un bus a 32 bit.
La memoria è stata poi progettata con particolare riguardo alla dissipazione; infatti, la memoria di Hynix permette una riduzione del 20% del consumo delle precedenti memorie a 50nm.
La tensione di alimentazione è di 1.35V.
Hynix prevede di iniziare la produzione di massa nella seconda metà dell’anno prossimo.