Hynix Semiconductor ha annunciato la disponibilità della sua nuova linea DDR3 con processo costruttivo a 40nm.
I nuovi prodotti di Hynix lavorano ad una frequenza di 1333 MHz con una tensione di alimentazione di 1.5V.
Hynix Semiconductor garantisce prestazioni, in linea di massima, attorno ai 1867 MHz con I/O a16-bit e con un bandwidth di 3.7 Gbps, mentre il consumo è ridotto del 40% rispetto alla classe a 50nm.
I modelli sono identificati come:
- 2 Gb DDR3 SDRAM
- 4 Gb DDR3 SO-DIMM
- 2 Gb DDR3 UDIMM
La linea Hynix è compatibile con i prodotti Intel.
Hynix pensa di proporre i suoi chip per la fine dell’anno.