In arrivo da Toshiba le 32nm DDR NAND

Toshiba ha deciso di proporre le sue linee da 32nm su tecnologia DDR NAND con un fattore di velocità pari a 133 Mbps.

Toshiba intende offrire le sue memorie con processo costruttivo da 32nm. Le sue nuove memorie flash sono direttamente comparabili con le prestazioni con quelle da 3onm, su tecnologia NAND, della Samsung presenti nel suo 512 GB SSD con un fattore di velocità pari a 166 Mbps.

Secondo le indicazioni di Toshiba, il suo DDR Toggle Mode 1.0 NAND dispone di un interface rate a 133 Megatransfer/second (MT/s).

La generazione successiva, Toggle Mode DDR NAND 2.0 dovrebbe assicurare un incremento delle prestazioni di almeno tre volte rispetto ai valori attuali.

Secondo le indicazioni della casa asiatica, le nuove memorie proposte da Toshiba dispongono di un doppio data rate in tecnologia MLC con valori di densità differenti: da 64 a 256 GB.