- 15
- ott
- 2010
Samsung presenta le sue ultime memorie su tecnologia NAND
In arrivo da Samsung un vagone carico di memorie su processo costruttivo da 20nm su 64 Gb con tecnologia 3-bit NAND flash memory.
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In arrivo da Samsung un vagone carico di memorie su processo costruttivo da 20nm su 64 Gb con tecnologia 3-bit NAND flash memory.
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Toshiba ha deciso di proporre le sue linee da 32nm su tecnologia DDR NAND con un fattore di velocità pari a 133 Mbps.
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Intel ha deciso di offrire i suoi X25-M e X25-V basati su tecnologia SSD, solid state drive, su processo costruttivo da 25nm in tecnologia NAND.
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