Finalmente Samsung ha deciso di inziare la produzione di massa delle memorie da 4 GB su 30nm.Le nuove memorie da 4 Gb in low power double-data 2 (LPDDR2) DRAM utilizzando il processo costruttivo da 30 nm particolarmente indicate per tablet e smartphone con ottime prestazioni sulle battarie.
Paragonando queste memorie con le versioni precedenti da 40nm 2 Gb LPDDR2 DRAM si assicura un incremento delle prestazioni di almeno del 60% con impatti diretti sull’efficienza energetica.
Non solo, le nuove memorie assicurano una data rate di 1,066 Mbps, un dato che risulta di essere migliori rispetto alle MDDR che operano tra 333 a 400 Mbps.
Secondo i piani Samsung ha deciso di produrre le soluzioni da 4 Gb LPDDR2 basati su 1 GB ( 8 Gb) e successivamente ha pianificato anche la produzione delle versioni da 2 GB (16 Gb).
