In arrivo le memorie Samsung DDR3 da 40nm

Samsung propone il primo prodotto da 4 Gigabit su DDR3 su processo costruttivo da 40nm.
Samsung ha comunicato l’avvio della produzione di massa delle sue nuove memorie da 40nm su 4 GigaBit. Grazie a questa nuova tecnologia, Samsung può finalmente affermare che le sue nuove memorie da DDR3 sono state realizzate in accordo alla specifica Energy Star.

Secondo le indicazioni di Samsung, le nuove memorie potranno garantire ottimi valori in termini di consumo.

Infatti, secondo alcune stime fornite, Samsung ritiene che su memorie da 60nm con 1Gb in tecnologia DDR2 consumano circa 210W, mentre su 40nm su 2 Gb in tecnologia DDR3 tollerano un valore di 55W: un 75% di ottime ragioni.

Le nuove memorie da 4 Gb sono in grado di supportate livelli di alimentazione di 1.5V e 1.35V, mentre le disponibilità garantite da Samsung includono proposte da 16 e 32 GB RDIMMs e 8 GB su SoDIMMs con un rapporto prestazionale di 1.6 Gigabit per secondo.