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Hynix sviluppa soluzione da 4 Gigabit

 
Francesco
2 gennaio 2011
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Hynix intende suggerire le soluzioni RAM da 4 Gigabit su tecnologia DDR3 basati su processo costruttivo da 30nm.

Il costruttore con queste nuovi soluzioni permette di assicurare un incremento della produttività dei propri moduli di memoria, circa del 70%, rispetto alle piattaforme da 40 nm.

I nuovi chip di Hynix garantiscono anche un risparmio dei consumi; in effetti, con un consumo di soli 1.25V è possibile ottenere una riduzione del 60% rispetto alle soluzioni da 40nm da 2 Gb.

Hynix è sicuramete una delle società di maggiore importanza nel segmento delle memorie, in modo particolare con le DRAM.

Non solo, Hynix ha anche pianificato la produzioni di nuovi chip di memoria DRAM su processo da 30nm durante il primo trimestre del 2011.

La notizia arriva da CDR Info.

Categorie: HW News
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